産品描述

Winconway N201 固态硬盤 是一款入門(mén)級PCIe NVMe解決方案，采用單面M.2 22x80mm設計(jì)。 這種外形非常适合超薄筆記本電(diàn)腦(nǎo)和(hé)空(kōng)間(jiān)有(yǒu)限的系統。得(de)益于采用PCIe NVMe Gen 3.0 x2 接口,Marvell 88NV1160控制(zhì)器(qì)3D NAND閃存, 這款固态硬盤的讀寫速度分别高(gāo)達1,600MB/s 讀取和(hé)900MB/s寫入。它的速度是基于SATA SSD的2倍， 是傳統機械硬盤的20倍，提供出衆的響應速度、超低(dī)的延遲和(hé)高(gāo)吞吐量。

N201普通(tōng)硬盤更可(kě)靠、耐用，采用3D NAND TLC閃存制(zhì)造。 它沒有(yǒu)任何活動部件，發生(shēng)故障的風險遠低(dī)于機械硬盤。它的散熱更好、更安靜，并且具備抗沖擊和(hé)抗震動性能，非常适合筆記本電(diàn)腦(nǎo)和(hé)其他移動計(jì)算(suàn)設備。

N201 提供 120GB–480GB 多(duō)種存儲容量，為(wèi)您提供存儲應用程序、視(shì)頻、照片和(hé)其他重要文檔所需的存儲空(kōng)間(jiān)。您還(hái)将普通(tōng)硬盤或較小(xiǎo)的固态硬盤更換為(wèi)足以存儲您所有(yǒu)文件的更大(dà)硬盤。

産品特點

•速度快

− 提供20倍機械硬盤的速度，高(gāo)達1600MB/s 讀取速度 和(hé)900MB/s 寫入速度，提高(gāo)系統整體(tǐ)性能。

• 多(duō)用途M.2 2280接口

− 多(duō)用途M.2接口設計(jì)，同時(shí)兼容B Key和(hé)M Key插槽，非常适合超薄筆記本電(diàn)腦(nǎo)等緊湊型設備。

•多(duō)種存儲容量

− 提供120GB、240GB和(hé)480GB 多(duō)種存儲容量，滿足客戶不同的存儲需求。

•高(gāo)性能主控

− 采用28nm CMOS工藝打造的Marvell主控，該主控采用ARM Cortex R5雙核心架構，內(nèi)建嵌入式 SRAM；支持PCIe3.0 X2 8Gbps，帶來(lái)更快的啓動、響應、加載和(hé)傳輸。

•穩固耐用

− 精選3D NAND閃存制(zhì)造，相比2D結構閃存，容量密度增加，可(kě)以提升SSD性能和(hé)延長使用壽命。

•低(dī)延時(shí)

− 支持NVMe 1.2和(hé)HMB，使用原生(shēng)PCIe通(tōng)道(dào)與CPU直連；在降低(dī)功耗情況下，提升SSD速度和(hé)延遲。

産品參數(shù)

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